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mosFEt管

G:gate 栅极S:source 源极D:drain 漏极 MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。

MOS管不仅可以做开关电路,也可以做模拟放大,因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。 二者的主要区别就是:双极型管是电流控制器件(通过基极较小的电流控制较大的集电极电流),MOS管是电压控制器件(通过栅极电压控制源...

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。 三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流...

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不...

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。 三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流...

MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极。 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负值,开启电压VT也必须是负值,实...

mosfet全称为金属-氧化物-半导体fet,而fet是场效应管(field effect transistor)的意思,即mosfet为金属-氧化物-半导体场效应管. 而晶体三极管包括双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET),所以mosfet是属于晶体管的,而且仅仅是很小的一个分类,但是...

MOSFET是指金属氧化物场效应管,具体的可分为P沟道和N沟道,一般用得多的是N沟道的。 MOS管是电压控制型的元件,可以用一个驱动电压来控制其漏极和源极的通断从而实现开关功能。不过使用时应注意其引脚的连接,因为不是普通意义上的开关。另外按...

一个是电流驱动型(三极管);一个是电压驱动型(MOS);2、三极管便宜,mos管贵。 3、三极管损耗大。 4、mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。 三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路,大电流...

电力晶体管GTR是目前各种全控型器件中运用比较广泛的一种。它一般都是做成达林顿复合管的形势出现。它是电流型驱动,工作频率不高,一般在1~2KHz(但GTR虽然工作在最大耗散功率范围内,仍可能损坏,存在着二次击穿) 电力场效应晶体管管MOSFET,...

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