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mosFEt管

G:gate 栅极S:source 源极D:drain 漏极 MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。

MOS管不仅可以做开关电路,也可以做模拟放大,因为栅极电压在一定范围内的变化会引起源漏间导通电阻的变化。 二者的主要区别就是:双极型管是电流控制器件(通过基极较小的电流控制较大的集电极电流),MOS管是电压控制器件(通过栅极电压控制源...

MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极。 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负值,开启电压VT也必须是负值,实...

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconducta...

MOS管(场效应管)的导通压降下,导通电阻小,栅极驱动不需要电流,损耗小,驱动电路简单,自带保护二极管,热阻特性好,适合大功率并联,缺点开关速度不高,比较昂贵。 三极管开关速度高,大型三极管的Ic可以做的很大,缺点损耗大,基极驱动电流...

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不...

Protel99SE是应用于Windows9X/2000/NT操作系统下的EDA设计软件,采用设计库管理模式,可以进行联网设计,具有很强的数据交换能力和开放性及3D模拟功能,是一个32位的设计软件,可以完成电路原理图设计,印制电路板设计和可编程逻辑器件设计等工...

栅极电压可以产生沟道,也可以使沟道消失——夹断;而源-漏电压也有可能使MOSFET的沟道夹断(局部夹断),则沟道夹断的电压对应有两个电压。一般,产生或者夹断沟道的栅极电压称为阈值电压VT,而使沟道夹断的源-漏电压往往称为饱和电压Vsat,因为...

MOS管的原理: 它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂...

MOS管的作用 MOS管为压控元件,你只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小.这就是常说的精典是开关作用.去掉这个控制电压经就截止. MOS管 MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconduct...

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